先進封裝 Racer Pin™ 應用領域
高密度銅柱植入技術，服務 HBM3E 探針卡測試、2.5D/3D 先進封裝互連及 Chiplet 異質整合等關鍵場景
HBM3E 探針卡測試：成本革命與技術突破
HBM 的量產良率管控是整個先進記憶體供應鏈中最關鍵也最昂貴的環節。每一顆 HBM3E 堆疊封裝在出廠前，必須對底部 Die（KGD）及完整堆疊（KGS）進行 100% 電氣測試，以篩選出良品，避免在後段封裝流程中浪費昂貴的 Logic Die 與 2.5D 中介層成本。
傳統 MEMS 探針卡採用光刻微影製程製造薄膜探針，製造成本極為昂貴——一套標準 HBM3E 探針卡造價通常超過新台幣 300 萬元，且樣品交期高達 8 至 12 週。Racer Pin™ 以預成型冷鍛 OFC 銅柱取代傳統 MEMS 薄膜探針，在 7.08 × 8.83 mm 的 HBM3E Die 面積內排列 12,726 根以上直徑 φ60 µm 的銅針，針距 10 µm，達到標準 microbump 密度的 1.64 倍。
Racer Pin™ 探針卡相較 MEMS 方案可降低 30–50% 的製造成本，樣品交期從 8–12 週大幅縮短至 2–4 週。OFC 銅柱的導電率（≥ 58 MS/m）與彈性形變特性，確保在數十萬次針測循環後仍維持穩定的接觸電阻，直接降低因探針磨損導致的誤判率與停機維護頻率。
2.5D CoWoS 與 3D SoIC 封裝互連技術定位
隨著摩爾定律的物理極限逐漸逼近，先進封裝已成為半導體產業維持效能成長的最主要技術路徑。2.5D 封裝技術（如 TSMC CoWoS、Intel EMIB）透過矽中介層將 HBM3E 記憶體堆疊與 AI Logic Die 並排連接，以極高密度的 TSV 和微凸塊實現晶片間的超短距高頻寬互連，突破傳統封裝基板的訊號速度與頻寬瓶頸。
Racer Pin™ φ60 µm 銅柱直徑與 10 µm 植針間距，使其成為 2.5D 中介層微凸塊互連的理想候選技術。相較傳統錫銀焊球（Solder Bump），OFC 實心銅柱具備更低的電阻（RC Delay 降低約 15–25%）、更高的電流承載能力（提升 30% 以上）以及優異的熱導率，在高功率密度的 AI 晶片封裝場景（TDP > 700W）中具有顯著的熱管理優勢。
在 3D SoIC 封裝中，多顆 Die 以面對面或面對背方式垂直堆疊，晶片間的互連密度遠高於 2.5D 方案。Racer Pin™ 的高密度植針能力（> 12,000 pins/die）與次微米級銅柱精度，同樣適合作為 3D 堆疊中的過渡互連媒介，協助客戶在設計驗證階段以更低成本完成晶片間電氣連通性測試，加速封裝量產整體開發週期。
Chiplet 模組化設計與異質整合封裝
Chiplet 架構是當前半導體設計最重要的典範轉移之一。隨著製程節點推進到 3nm 以下，龐大的光罩成本（單套 EUV 光罩 > 1,500 萬美元）與有限的晶圓良率使超大型 SoC 的開發成本急速攀升。Chiplet 架構將 SoC 拆解為多個功能性小晶片，各自採用最適合的製程節點獨立製造後，再透過先進封裝技術異質整合於同一封裝體中。
在 Chiplet 生態系中，AMD EPYC 伺服器處理器、Intel Ponte Vecchio GPU 以及 Apple M 系列晶片均已採用多晶片異質整合架構，而 UCIe 開放標準的推進更預示著跨廠商 Chiplet 生態系的加速形成。Racer Pin™ 的高密度銅柱植入技術可作為 Chiplet 封裝驗證階段的探針媒介，在最終封裝前對個別 Chiplet Die 進行 KGD 測試，確保異質整合後的整體良率最大化。
奔馳科技持續投入 Racer Pin™ 技術在 Chiplet 封裝互連領域的研發擴展，包括針對不同 Bump Pitch（40–200 µm）的客製化植針方案、搭配主動對準技術的多 Die 同步測試解決方案，以及符合 JEDEC HBM3E 規格的完整測試向量支援。透過與 TSMC CoWoS 先進封裝製程的緊密配合，Racer Pin™ 正在成為全球 Chiplet 量產供應鏈中不可或缺的關鍵技術環節。