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Mit dem explosiven Wachstum der KI- und Großrechen-Nachfrage ist DRAM zur wichtigsten Infrastrukturkomponente der Halbleiterindustrie geworden. RACER TECHs DRAM-Produktlinie reicht von DDR2 bis zur neuesten HBM3E-Generation.
In KI-Servern und HPC bieten HBM3E und DDR5 ultrahohe Bandbreite und niedrige Latenz als Kernspeicher für GPU-Beschleuniger, KI-Trainings-Cluster und Inferenzserver.
In der Industrieautomation und Fahrzeugelektronik bietet RACER TECH industrietaugliche DDR4-Komponenten für -40°C bis +105°C für Steuerungen, Roboter, Drohnen und ADAS-Systeme.
Im Edge-Computing und mobilen Geräten macht die Niedrigenergie-Charakteristik von LPDDR4/5 sie zum bevorzugten Speicher für Smartphones, Tablets, Edge-KI-Geräte und IoT-Gateways.
Die Anwendungsszenarien der Racer Pin™-Hochdichte-Kupferpfahl-Insertionstechnologie adressieren die zwei herausforderndsten technischen Fronten der Halbleiterindustrie: fortschrittliches Speichertesting und Chiplet-Heterogenintegrations-Packaging.
Beim HBM3E-Prüfkartentest ersetzt Racer Pin™ MEMS-Dünnfilm-Sonden durch vorgeformte kaltgeschmiedete Kupferpfeiler und erreicht über 12.726 Kupferpins in einer HBM3E-Die-Fläche — 30–50% weniger Herstellungskosten, Probenlaufzeit auf 2–4 Wochen verkürzt.
Im Advanced-Packaging-Interconnect eignen sich Racer Pin™ φ60 µm Kupferpfeiler und 10 µm Pitch ideal für 2.5D CoWoS-Substrat- und 3D SoIC-Package-Chip-Interconnects, besonders für HBM + AI Logic Die-Hochleistungsdichte-Stapelpackaging.

