APPLICATION
應用領域
隨著人工智慧與大規模運算需求的爆炸性成長，DRAM 記憶體已成為整個半導體產業中最關鍵的基礎建設元件。奔馳科技 DRAM 產品線涵蓋 DDR2 至最新一代 HBM3E，能夠全面服務多元化應用場景。
在 AI 伺服器與高效能運算（HPC）領域，HBM3E 與 DDR5 提供超高頻寬與低延遲，是 GPU 加速器、AI 訓練集群與推論伺服器的核心記憶體方案。全球主要雲端服務供應商與超大型資料中心每年部署數十萬顆 AI 晶片，對 HBM 與 DDR5 的需求持續高速成長。
在工業自動化與車用電子領域，奔馳科技提供覆蓋 -40℃ 至 +105℃ 寬溫操作範圍的工業級 DDR4 元件，適用於工業控制器、機器人、無人機飛控及 ADAS 等對可靠性要求極高的場景。
在邊緣運算與行動裝置領域，LPDDR4/5 的低功耗特性使其成為手機、平板、邊緣 AI 設備及 IoT 閘道器的首選記憶體。奔馳科技透過完整的 DDR 產品矩陣，協助客戶在每一個運算節點選用最適切的記憶體規格。
Racer Pin™ 高密度銅柱植入技術所開創的應用場景，正好對應當前半導體產業最具挑戰性的兩大技術前沿：先進記憶體測試與 Chiplet 異質整合封裝。
在 HBM3E 探針卡測試領域，每一顆 HBM 晶片與堆疊（KGD/KGS）在出廠前都必須通過 100% 電氣測試。Racer Pin™ 以預成型冷鍛銅柱取代 MEMS 薄膜探針，在 HBM3E die 面積內實現 12,726 根以上銅針，製造成本降低 30–50%，樣品交期縮短至 2–4 週。
在先進封裝互連領域，Racer Pin™ 的 φ60 µm 銅柱與 10 µm 植針間距，使其天然適合 2.5D CoWoS 基板及 3D SoIC 封裝的晶片間互連，特別適用於 HBM + AI Logic Die 的高功率密度堆疊封裝及 Chiplet 多晶片互連需求。
