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APPLICATION
应用领域

随着人工智能与大规模运算需求的爆炸性增长,DRAM 内存已成为整个半导体产业中最关键的基础建设元件。奔驰科技 DRAM 产品线涵盖 DDR2 至最新一代 HBM3E,能够全面服务多元化应用场景。
在 AI 服务器与高效能运算(HPC)领域,HBM3E 与 DDR5 提供超高带宽与低延迟,是 GPU 加速器、AI 训练集群与推理服务器的核心内存方案。
在工业自动化与车用电子领域,奔驰科技提供覆盖 -40℃ 至 +105℃ 宽温操作范围的工业级 DDR4 元件,适用于工业控制器、机器人、无人机及 ADAS 等高可靠性场景。
在边缘运算与移动设备领域,LPDDR4/5 的低功耗特性使其成为手机、平板、边缘 AI 设备及 IoT 网关的首选内存。
Racer Pin™ 高密度铜柱植入技术所开创的应用场景,正好对应当前半导体产业最具挑战性的两大技术前沿:先进内存测试与 Chiplet 异质整合封装。
在 HBM3E 探针卡测试领域,Racer Pin™ 以预成型冷锻铜柱取代 MEMS 薄膜探针,在 HBM3E die 面积内实现 12,726 根以上铜针,制造成本降低 30–50%,样品交期缩短至 2–4 周。
在先进封装互连领域,Racer Pin™ 的 φ60 µm 铜柱与 10 µm 植针间距,天然适合 2.5D CoWoS 基板及 3D SoIC 封装的芯片间互连,特别适用于 HBM + AI Logic Die 的高功率密度堆叠封装及 Chiplet 多芯片互连需求。

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