先进封装 Racer Pin™
Racer Pin™ 是奔驰科技自主研发的高密度铜柱植入封装技术。采用预成型冷锻无氧铜（OFC）铜柱，最小直径可达 φ60 µm，通过专有巨量转移治具同时植入数千根铜柱，定位精度 ±5 µm，植针间距可精准控制至 10 µm 级别。EMC 环氧树脂填充后，经机械研磨平坦化，铜／环氧共平面度优于 5 µm；铜柱高度可依需求在 300 至 2,400 µm 之间灵活调整，提供极高的设计弹性。
Racer Pin™ 在 HBM3E 测试探针阵列的应用中展现卓越优势：在等同一颗 HBM3E die 面积（7.08 × 8.83 mm）内，可实现 12,726 根以上铜针，密度达 HBM3E microbump 数量的 1.64 倍，完整覆盖所有测试接点并留有冗余对准容差。相较主流 MEMS 探针卡，Racer Pin™ 无需洁净室设备，制造成本可降低 30–50%，样品交期从 8–12 周缩短至 2–4 周。
冷锻 OFC 实心铜柱天然具备优于电钨薄膜探针的导电率、机械耐久性与导热性能，可承受更多接触循环。模块化植入设计亦允许局部修复，单根损坏铜柱可单独替换，有别于 MEMS 探针卡整片报废的高维护成本。奔驰科技位于台湾新竹，整合完整半导体封装供应链，从 PoC 样品评估到量产交付，为客户提供一站式先进封装互连解决方案。
Racer Pin™ HBM3E 高密度铜柱探针阵列示意图
技术规格
Cu Pillar
Pre-formed cold-forged OFC (C1020) solid copper pillar
Min. diameter φ60 µm
Height 300–2,400 µm adjustable
φ60 µm
H max 2,400 µm
Placement Accuracy
Proprietary mass-transfer fixture — thousands of pillars simultaneously
Placement accuracy ±5 µm
Gap control down to 10 µm
Cu/Epoxy co-planarity < 5 µm
±5 µm Gap 10 µm
HBM3E Probe Array
Footprint = 1× HBM3E die (7.08 × 8.83 mm)
12,726+ pins at 70 µm staggered pitch
1.64× HBM3E microbump (7,775) density
12,726+ pins
1.64× density
Durability
OFC conductivity & durability > electroformed W film probe
Contact resistance target < 100 mΩ / pin
Modular — individual pillar replaceable
Target contact life > 100,000 cycles
< 100 mΩ/pin
>100k cycles