先进封装 Racer Pin™ 应用领域
高密度铜柱植入技术，服务 HBM3E 探针卡测试、2.5D/3D 先进封装互连及 Chiplet 异质整合等关键场景
HBM3E 探针卡测试：成本革命与技术突破
HBM 的量产良率管控是整个先进内存供应链中最关键也最昂贵的环节。每颗 HBM3E 堆叠封装在出厂前，必须对底部 Die（KGD）及完整堆叠（KGS）进行 100% 电气测试，以筛选出良品，避免在后段封装流程中浪费昂贵的 Logic Die 与 2.5D 中介层成本。
传统 MEMS 探针卡采用光刻微影制程制造薄膜探针，制造成本极为昂贵——一套标准 HBM3E 探针卡造价通常超过新台币 300 万元，且样品交期高达 8 至 12 周。Racer Pin™ 以预成型冷锻 OFC 铜柱取代传统 MEMS 薄膜探针，在 7.08 × 8.83 mm 的 HBM3E Die 面积内排列 12,726 根以上直径 φ60 µm 的铜针，针距 10 µm，达到标准 microbump 密度的 1.64 倍。
Racer Pin™ 探针卡相较 MEMS 方案可降低 30–50% 的制造成本，样品交期从 8–12 周大幅缩短至 2–4 周。OFC 铜柱的导电率（≥ 58 MS/m）与弹性形变特性，确保在数十万次针测循环后仍维持稳定的接触电阻，直接降低因探针磨损导致的误判率与停机维护频率。
2.5D CoWoS 与 3D SoIC 封装互连技术定位
随着摩尔定律的物理极限逐渐逼近，先进封装已成为半导体产业维持效能成长的最主要技术路径。2.5D 封装技术（如 TSMC CoWoS、Intel EMIB）通过矽中介层将 HBM3E 内存堆叠与 AI Logic Die 并排连接，以极高密度的 TSV 和微凸块实现芯片间的超短距高带宽互连，突破传统封装基板的信号速度与带宽瓶颈。
Racer Pin™ φ60 µm 铜柱直径与 10 µm 植针间距，使其成为 2.5D 中介层微凸块互连的理想候选技术。相较传统锡银焊球，OFC 实心铜柱具备更低的电阻（RC Delay 降低约 15–25%）、更高的电流承载能力（提升 30% 以上）以及优异的热导率，在高功率密度的 AI 芯片封装场景（TDP > 700W）中具有显著的热管理优势。
在 3D SoIC 封装中，多颗 Die 以面对面或面对背方式垂直堆叠，芯片间的互连密度远高于 2.5D 方案。Racer Pin™ 的高密度植针能力（> 12,000 pins/die）与次微米级铜柱精度，同样适合作为 3D 堆叠中的过渡互连媒介，协助客户在设计验证阶段以更低成本完成芯片间电气连通性测试。
Chiplet 模块化设计与异质整合封装
Chiplet 架构是当前半导体设计最重要的典范转移之一。随着制程节点推进到 3nm 以下，龐大的光罩成本（单套 EUV 光罩 > 1,500 万美元）与有限的晶圆良率使超大型 SoC 的开发成本急速攀升。Chiplet 架构将 SoC 拆解为多个功能性小芯片，各自采用最适合的制程节点独立制造后，再通过先进封装技术异质整合于同一封装体中。
在 Chiplet 生态系中，AMD EPYC 服务器处理器、Intel Ponte Vecchio GPU 以及 Apple M 系列芯片均已采用多芯片异质整合架构，而 UCIe 开放标准的推进更预示着跨厂商 Chiplet 生态系的加速形成。Racer Pin™ 的高密度铜柱植入技术可作为 Chiplet 封装验证阶段的探针媒介，确保异质整合后的整体良率最大化。
奔驰科技持续投入 Racer Pin™ 技术在 Chiplet 封装互连领域的研发扩展，包括针对不同 Bump Pitch（40–200 µm）的客制化植针方案、搭配主动对准技术的多 Die 同步测试解决方案，以及符合 JEDEC HBM3E 规格的完整测试向量支援。
